Forskjell mellom PROM og EPROM | PROM vs EPROM
PROM vs EPROM
I elektronikk og databehandling, minne elementer er avgjørende for å lagre data og hente dem etterpå. I tidligste stadier ble magnetbånd brukt som minne og med halvlederrevolusjonen ble hukommelseselementene også utviklet basert på halvledere. EPROM og EEPROM er ikke-flyktige halvleder minne typer.
Hvis et minneelement ikke kan beholde data etter at du har koblet fra strømmen, er det kjent som et flyktig minneelement. PROMs og EPROMs var banebrytende teknologier i ikke-flyktige minneceller (det vil si at de kan beholde data etter å ha koblet fra strømmen), noe som førte til utviklingen av moderne solid state-minneenheter.
Hva er PROM?
PROM står for Programmable Read Only Memory , en type ikke-flyktig minne laget av Weng Tsing Chow i 1959 på forespørsel fra US Air Force som et alternativ for minnet om Atlas E og F ICBM modeller ombord (luftbåren) digital datamaskin. De er også kjent som One-Time Programmable Non-Volatile Memory (OTP NVM ) og Field Programmable Read Only Memory (FPROM ). For tiden er disse mye brukt i mikrokontrollere, mobiltelefoner, radiofrekvensidentifikasjonskort (RFID), høydefinerte mediegrensesnitt (HDMI) og videospillkontrollere.
Data skrevet på PROM er permanent og kan ikke endres; Derfor blir de vanligvis brukt som statisk minne, for eksempel fastvare av enheter. Tidlig datamaskin BIOS-chips var også PROM-chips. Før programmeringen har brikken bare biter med en verdi en "1". I programmeringsprosessen blir bare nødvendige biter omgjort til null "0" ved å blåse hver sikringsbit. Når brikken er programmert, er prosessen irreversibel; Derfor er disse verdiene uforanderlige og permanente.
Basert på produksjonsteknologi kan data programmeres på wafer, sluttprøve eller systemintegrasjonsnivåer. Disse programmeres ved hjelp av en PROM-programmerer som blåser sikringene til hver bit ved å bruke en relativt stor spenning for å programmere brikken (vanligvis 6V for 2nm tykt lag). PROM-celler er forskjellige fra ROMer; De kan programmeres selv etter produksjon, mens ROMer kun kan programmeres ved produksjon.
Hva er EPROM?
EPROM står for Erasable Programmable Read Only Memory , også en kategori av ikke-flyktige minneenheter som kan programmeres og slettes. EPROM ble utviklet av Dov Frohman på Intel i 1971 basert på undersøkelsen på feil integrerte kretser hvor gateforbindelsene til transistorene hadde brutt.
En EPROM-minnecelle er en stor samling av flytende gate Field Effect Transistors.Data (hver bit) er skrevet på individuelle felteffekttransistorer inne i brikken ved hjelp av en programmerer som lager kildeavløpskontakter inni. Basert på celleadressen lagrer en bestemt FET data og spenninger som er mye høyere enn den normale digitale kretsens driftsspenninger i denne operasjonen. Når spenningen er fjernet, er elektronene fanget i elektrodene. På grunn av sin meget lave ledningsevne bevarer silisiumdioksydet (SiO 2 ) isolasjonslaget mellom portene ladningen i lange perioder, og holder dermed minnet i ti til tjue år.
En EPROM-chip blir slettet ved eksponering for sterk UV-kilde, for eksempel en kvikksølvdamper. Erasing kan gjøres ved bruk av UV-lys med en bølgelengde som er kortere enn 300 nm og utsetter for 20-30 minutter i nærheten (<3cm). For dette er EPROM-pakken bygget med et smeltet kvartsvindu som utsettes for silisiumbrikken til lyset. Derfor er en EPROM lett identifiserbar fra dette karakteristiske smeltet kvartsvinduet. Sletting kan gjøres ved hjelp av røntgenstråler også.
EPROM er i utgangspunktet brukt som statiske minnesforretninger i store kretser. De ble mye brukt som BIOS-chips i datamaskinens hovedkort, men de erstattes av ny teknologi som EEPROM, som er billigere, mindre og raskere.
Hva er forskjellen mellom PROM og EPROM?
• PROM er den eldre teknologien, mens både PROM og EPROM er ikke-flyktige minneenheter.
• PROMs kan kun programmeres én gang mens EPROM er gjenbrukbare og kan programmeres flere ganger.
• Prosessen i programmeringen av PROMS er irreversibel; derfor er minnet permanent. I EPROM kan minnet bli slettet ved eksponering for UV-lys.
• EPROM har et smeltet kvartsvindu i emballasjen for å tillate dette. PROM er omsluttet i komplett plastemballasje; derfor har UV ingen effekt på PROMs
. • I PROM er data skrevet / programmert på brikken ved å blåse sikringene ved hver bit ved å bruke mye høyere spenninger enn gjennomsnittsspenningene som brukes i digitale kretser. EPROMS bruker også høy spenning, men ikke nok til å endre halvlederlaget permanent.
